③ 晶體生長-布里奇曼法
發(fā)布時間：2020-06-09
布里奇曼技術是一種生長單晶錠或單晶花束的方法。 它是一種常用的生產某些半導體晶體的方法，如砷化鎵、II-V晶體(ZnSe, CdS, CdTe)和BGO，其中提拉過程更困難，該方法涉及容器中加熱多熔點以上的多晶材料，并從子晶所在的一端緩慢冷卻。 單晶材料沿容器的長度逐漸形成。 該過程可以沿水平或垂直方向進行。
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