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基片清洗：

 Si 襯底會(huì)被氧化要使用 RCA化學(xué)法清洗，相對(duì) GGG 襯底要更復(fù)雜。

 Si 基片的清洗流程如下：

1、去除表面的有機(jī)物，利用丙酮溶液清洗。先把基片切割成合適大小，以正面朝上放入倒入丙酮的燒杯中，丙酮不宜過(guò)多，能淹沒(méi)基片就行。之后將燒杯放入超聲波清洗器中清洗15分鐘。

2、將殘留的丙酮去除，利用無(wú)水乙醇清洗。將用丙酮清洗過(guò)的基片取出，用另一個(gè)燒杯倒入適量無(wú)水乙醇，同樣要注意把基片正面朝上放入超聲清洗15分鐘。

3、除去殘留的無(wú)水乙醇，利用去離子水清洗。將第二部清洗過(guò)的基片放入去離子水中，注意事項(xiàng)如上，超聲清洗 15 分鐘。

4、無(wú)機(jī)物清洗，利用去離子水，氨水，過(guò)氧化氫（5：1：1）配成溶液清洗。上一步清洗后的基片放入配好的溶液，80℃下清洗十分鐘。取出馬上用去離子水沖洗。

5、離子清洗，利用去離子水，過(guò)氧化氫，鹽酸（5：1：1）配成溶液清洗。基片正面朝上放入溶液，同樣80℃下清洗十分鐘。取出用去離子水沖洗。

6、除去氧化層，利用稀釋的氫氟酸清洗。在溶液中清洗約一分鐘，取出用去離子水清洗。最后用高壓氮?dú)獯蹈裳b在基片臺(tái)上。

 GGG 基片則簡(jiǎn)單得多，只需要用丙酮，無(wú)水乙醇，去離子水按順序清洗，注意事項(xiàng)和Si 基片清洗相同，都清洗15分鐘，最后吹干裝好可以了

內(nèi)容摘至《高性能YIG靶材及薄膜的制備與性能的研究》