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MoS2 晶體
- 產品概述：
- MoS2有人工和天然兩種，人工的沒有缺陷峰，天然的缺陷峰信號在波長范圍：400-500之間，如果你研究的不在那個波段內區(qū)別就不會太大。常用于半導體電子器件，光學器件等研究。
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術參數(shù)產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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MoS2 二硫化鉬 |
| 天然技術參數(shù)
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晶體結構： | 六方晶系 | 類型： | 天然 | | 熔點 | 2375℃ | 純度： | >98％ | 外觀： | 銀白色 | 電導： | 半導體 | 帶隙： | 塊體MoS2間接帶隙1.2 eV, 單層MoS2直接帶隙 1.8 eV | 常規(guī)尺寸： | 10 mm x 10 mm ，20 mm x 20 mm，15 mm x 15 mm |
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| 人工技術參數(shù)
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晶體結構： | 六方晶系 | 類型： | CVD法人工合成 | | 熔點 | 1185℃ | 純度： | >99.99％ | 外觀： | 黑色/銀灰色 | 電導： | 半導體 | 帶隙： | 塊體MoS2間接帶隙1.2 eV, 單層MoS2直接帶隙 1.8 eV | 常規(guī)尺寸： | ~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米 | | 生長方法： | 分子外延，化學氣相沉積，天然 | | 晶格常數(shù)： | a=b=3.15? ,c=12.29?, α=β=90°,γ=120° |
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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