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PMN-PT晶體
- 產品概述：
- 用改進的Bridgman法生長出了高質量的大尺寸弛豫鐵電單晶PMNT，該單晶具有優(yōu)異的壓電性能、非線性光學性能和熱釋電性能，不僅可以滿足應用需要成為新一代高性能壓電換能器、非線性光學器件和光電探測器件(如紅外探測器)的核心材料，而且還為廣大的科研人員提供了良好的研究載體，歡迎國內外各科研院所和公司企業(yè)定購我們的單晶產品，進行相關的科學研究及器件研發(fā)和生產。
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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PMN-PT晶體基片
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| 技術參數
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晶體結構： | 贗立方晶系 | 晶格常數： | a=~4.024 ? | 密度： | 8.1 g/cm3 | 熔點： | 1280°C | 硬度： | 3.5mohs | | 熱膨脹系數 | 10.4x10-6/K | 耦合常數： | k33(longitudinal mode) >92% kt(thickness mode) 59-62% k33'(beam mode) 84-88% | 壓電系數d33 ： | >2000 pC/N | 介電常數e(at 1kHz after poling) ： | 4000 – 6000 | 介電損耗： | tan d<0.9 | 居里溫度 ： | 135-150°C | 生長方法： | 坩堝下降法 |
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| 產品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | | 晶向公差： | ±0.5° | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋、細磨 | 拋光面粗糙度： | Ra<15A （單晶內部有疇） |
注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。
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| 晶體缺陷
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人工金屬單晶存在常見晶體缺陷等。
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| 標準包裝：
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1000級超凈室，100級超凈袋封裝
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