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硅鍺(Si-Ge)晶體基片
產品概述:
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技術參數

單晶:

Si-Ge  ( wt 2%)

導電類型:

P type

電阻   

7-8  ohm-cm

拋光情況:

單面/雙面拋光

表面粗糙度

<5A


產品規格

常規晶向:<100>;常規尺寸:dia4″x0.5mm;

注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。

標準包裝

1000級超凈室100級超凈袋

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