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銻化鎵(GaSb)晶體基片
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
技術參數

單晶

GaSb

摻雜

none;None, high R;Zn;Te;Te, high R

導電類型

P   P-    P+    N

載流子濃度
cm-3

1-2x1017     1-5x1016     1-5x1018
2-6x1017     1-5x1016

位錯密度
cm-2

<103

生長方法及
最大尺寸

LEC  ? 3"


產品規格

標準尺寸:<100>, dia2"x0.5mm,

單拋,  ?3"x 0.5mm.

表面粗糙度Ra:<15A

可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。


標準包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

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