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鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- NdGaO3是近十年中發(fā)展起來(lái)的新型基片，主要用作高溫超導(dǎo)體（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生長(zhǎng)用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且無(wú)結(jié)構(gòu)相變，在NdGaO3基片上可外延生長(zhǎng)質(zhì)量良好的薄膜。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu) | 正交 | 晶體參數(shù)? | a=5.43, b=5.50, c=7.71 | 熔點(diǎn)℃ | 1600 | 密度g/cm3 | 7.57 | 介電常數(shù) | 25 | 生長(zhǎng)方法 | 提拉法 | 硬度： | 5.9（Mohs） |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
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晶向： 公差：+/-0.5度 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x3x0.5mm 單拋，Ra<5A 注：也可根據(jù)客戶(hù)需求定制相應(yīng)的尺寸和大小 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋封裝 |
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