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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數
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晶體結構： | 四方 | 晶格常數： | a=3.685 c=12.12 | 生長方法： | 提拉法 | 熔點： | 1850℃ | 密度： | 5.56g/cm3 | 莫氏硬度 | Mohs | 熱膨脹系數 | 12×10-6/℃ | 介電常數 | 19.5 |
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| 產品規格
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常規尺寸：10 x 10 x 0.5 mm、5x5x0.5mm； 常規晶向： 晶向公差：+/-0.5度 拋光情況：單拋或雙拋 表面粗糙度Ra<5A 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝 |
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皖公網安備 34012302000974號
