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Si+Si3N4薄膜
- 關鍵字：
- 進口料Silicon Nitride Film (LPCVD) on Silicom Wafer N type doped P
- 產品概述：
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術參數(shù)產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數(shù)
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Si參數(shù)： | 晶向： | 摻雜類型：N型摻P； | 電阻率:1-20 ohm-cm； | 拋光：單拋； | Si3N4參數(shù)： | 生長方法：low stress LPCVD method | 薄膜厚度：1.3um?±5%；300?nm??+/-?10% | 鍍膜情況：Si3N4 covers both side of Silicon wafer |
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| 常規(guī)尺寸
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dia4" ±0.5mm x 0.525 ±0.025mm |
| 標準包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋真空包裝、單片盒或插盒 |
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