- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品數(shù)據(jù)
|
產(chǎn)品尺寸： | dia100mm | 生長(zhǎng)方法： | CVD法 | 薄膜厚度： | 1-10單分子層厚度 | Ni層厚度： | 300nm | 氧化層厚度： | 500nm | Si片厚度： | 500um | Research Grade , about 90 % useful area 詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)點(diǎn)擊 |
|
| 數(shù)據(jù)圖表
|
Graphene film structure |  Optical microstructure picture |  Ramam Spectrum |
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋真空包裝或者單片盒裝 |
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