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光學級摻鎂鈮酸鋰 晶片
型號:
MgOLiNbO3
產品概述:
純同成份鈮酸鋰晶體最大的缺點是抗激光損傷闕值很低,這限制了它的應用領域。當摻入5mol%MgO后,所生長MgO:LN晶體的抗激光損傷闕值提高1-2個數量級,極化反轉電壓從21KV/mm降至6KV/mm,紫外吸收邊紫移至310mm,OH-吸收峰紅移至3535cm-1,這些變化極大的拓展了LN晶體的應用范圍。
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產品規格

軸向:

Z cut (+/-0.2°)

直徑:

76.2mm(+/-0.3mm)

基準面:

22mm(+/-2mm)

厚度:

500um(+/-5um)/1000um(+/-5um)

晶片背面:

雙面拋光

TTV:

≤6um

WARP:

≤20um

濃度:

4.9-6mol%

邊緣倒角:

edge rounding

標準包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

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