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WS2二硫化鎢
產(chǎn)品概述:
應用于半導體電子器件、光學器件等研究。
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產(chǎn)品名稱

WS2二硫化鎢


技術(shù)參數(shù)

類型:

CVD法人工合成

純度:

>99.99%

外觀:

黑色

電導:

半導體

帶隙:

單層直接帶隙 約2.0 eV

常規(guī)尺寸:

~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米

晶體結(jié)構(gòu):六方晶系
晶體常數(shù):a=3.15?     c=12.27?     α=β=90°   γ=120°
生長方法:分子外延, 化學氣相沉積


標準包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝


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